AO3480C技术参数

AO3480C 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的平面硅栅工艺制造。该器件在紧凑的 SOT-23-3 封装内集成了高性能的功率开关核心，其设计重点在于优化功率密度与开关效率的平衡。其核心架构基于成熟的 MOSFET 技术，通过精心的芯片布局和沟道设计，实现了在低栅极驱动电压下的极低导通电阻，这对于提升系统整体能效至关重要。

该 MOSFET 的显著特性在于其优异的电气性能组合。30V 的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳定工作在常见的 12V 或 24V 总线系统中，而高达 5.7A 的连续漏极电流（Id）能力则赋予了其驱动较大负载的潜力。更关键的是，其在 10V Vgs 驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至 26.5 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1.45V，且驱动电压范围宽（2.5V至10V），确保了与主流 3.3V 和 5V 逻辑电平控制器的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态开关特性方面，AO3480C 表现出色。栅极电荷（Qg）最大值仅为 10nC，配合约 630pF 的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量很小，这有助于实现高速开关并降低栅极驱动电路的损耗。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

凭借这些特性，该器件非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的场合。其主要应用场景包括 DC-DC 转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的 H 桥或半桥下管、锂电池保护板中的放电控制开关，以及各类便携式设备、消费电子和工业控制模块中的功率管理单元。其表面贴装的 SOT-23-3 封装形式也便于自动化生产，适合高密度 PCB 布局。

• 制造商产品型号：AO3480C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.45V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO3480C现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。