AO4264_DELTA技术参数

AO4264_DELTA是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8引脚SO封装内。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡，通过优化的单元设计和工艺制程，在有限的芯片面积上实现了较低的导通电阻与栅极电荷，这对于提升开关电源和电机驱动的整体能效至关重要。

该器件具备60V的漏源击穿电压(Vdss)与12A的连续漏极电流(Id)承载能力，为其在中等功率应用中的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)下典型值仅为11毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为20nC，结合2.5V的典型栅极阈值电压(Vgs(th))，意味着器件具有快速的开关速度和良好的驱动特性，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，AO4264_DELTA支持宽范围的栅极驱动电压，其Vgs最大可承受±20V，提供了较强的抗干扰能力。其输入电容(Ciss)在30V Vds下最大值为2007pF，与较低的Qg共同确保了快速的开关响应。器件采用表面贴装封装，符合现代电子装配工艺要求，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于各种环境条件下的工业与消费类产品。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方指定的AOS代理商获取相关服务与产品信息。

凭借其性能组合，AO4264_DELTA非常适用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、低压大电流的电机驱动模块（如无人机电调、小型伺服驱动器）、电池保护电路以及各类电源管理单元。其平衡的导通与开关特性，使其成为在空间受限且对效率有要求的应用中，一个值得考虑的高性价比解决方案。

• 制造商产品型号：AO4264_DELTA
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2007pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO4264_DELTA现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。