AO4290A技术参数

AO4290A是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT（Shielded Gate Trench）技术平台。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高可靠性的功率开关应用而优化。其核心架构通过优化的单元设计和屏蔽栅结构，在降低导通电阻（R_DS(on)）的同时，有效控制了栅极电荷和内部电容，从而在开关速度与损耗之间取得了良好平衡。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（V_DSS）和在25°C环境温度下达15.5A的连续漏极电流（I_D）能力，为其在中高功率场景下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻特性尤为突出，在10V栅源驱动电压（V_GS）和15.5A漏极电流条件下，典型R_DS(on)最大值仅为6.4毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。器件具有较低的栅极阈值电压（V_GS(th)），最大值2.3V @ 250A，并结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够兼容多种逻辑电平并易于驱动。

在动态特性方面，最大栅极总电荷（Q_g）为95nC @ 10V，配合4525pF @ 50V的最大输入电容（C_iss），表明其在保证快速开关性能的同时，对驱动电路的电流需求进行了优化，有助于简化栅极驱动设计并减少开关损耗。器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方指定的AOS代理商获取产品、数据手册及设计资源。

基于其性能参数，AO4290A非常适合应用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理系统。其优异的R_DS(on)和开关特性使其在提升能效和功率密度方面具有显著优势，是工业设备、通信基础设施、消费类电子电源适配器等产品中功率级设计的理想选择之一。

• 型号:AO4290A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.4 毫欧 @ 15.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4525 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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