AO4482L_102技术参数

AO4482L_102是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8引脚SOIC表面贴装封装内。该器件基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，其核心架构通过精细的沟道与终端设计，确保了在100V漏源电压等级下具备稳健的耐压能力和较低的栅极电荷。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至37毫欧（在6A电流条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其既能与标准逻辑电平兼容，又能在较高栅压下获得最优的导通性能。此外，其最大栅极总电荷（Qg）仅为44nC，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这有助于降低开关过程中的驱动损耗并提升开关速度，对于高频开关应用尤为重要。

在电气参数方面，AO4482L_102的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为6A，最大功率耗散为3.1W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，展现了良好的热性能和可靠性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极电压尖峰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的技术支持与供货信息。

凭借100V的耐压、较低的导通与开关损耗以及表面贴装的便利性，这款器件非常适合应用于需要高效功率转换与控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护板以及各类电源管理模块。其紧凑的8-SO封装也使其能够适应对PCB空间有严格要求的现代电子设备设计。

• 制造商产品型号：AO4482L_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 6A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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