AO4490L技术参数

AO4490L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8引脚SOIC（8-SO）表面贴装封装内。其核心设计旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的平衡，在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至7.2毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。器件内部结构优化了电荷控制，栅极总电荷（Qg）最大值为48nC，有助于降低开关损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和在环境温度（Ta）下连续导通16A电流的能力，展现了稳健的功率处理特性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压兼容，确保了与微控制器或数字信号处理器接口的便利性。此外，其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极抗干扰能力。器件的功率耗散能力为2.8W（Ta），结合其宽广的结温工作范围（-55°C 至 150°C），使其能够在各种环境条件下稳定运行。

在接口与参数方面，AO4490L的输入电容（Ciss）最大值为2170pF，这是影响开关动态性能的关键参数之一。其优异的Rds(on)与Qg的比值（FOM）使其在需要高效率的场合表现突出。用户可以通过AOS中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。该MOSFET适用于多种DC-DC转换器拓扑，如同步整流、电机驱动中的H桥以及负载开关等场景，尤其在对空间和效率有严格要求的便携式设备、计算机主板VRM（电压调节模块）及分布式电源系统中，能够有效提升功率密度和系统可靠性。

• 制造商产品型号：AO4490L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 16A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：48nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2170pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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