AO4850技术参数

AO4850是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用先进的平面MOSFET工艺技术，集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET于一个紧凑的8引脚SOIC封装内。其内部架构旨在实现高效的电流处理和快速的开关性能，每个MOSFET的栅极驱动设计为逻辑电平兼容，这简化了与微控制器或数字逻辑电路的接口设计，无需额外的电平转换电路。

该芯片的核心特性在于其75V的漏源击穿电压（Vdss）和2.3A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了可靠的电压和电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源电压（Vgs）和3.1A漏极电流条件下最大仅为130毫欧，这直接转化为较低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为7nC，结合380pF的输入电容（Ciss），意味着其具有快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取产品技术与供货信息。

在电气参数方面，AO4850的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为3V，确保了其能被标准的3.3V或5V逻辑信号有效驱动。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了在苛刻环境下的稳定运行能力。尽管其最大功耗为1.1W，但优良的热性能设计使其在表面贴装（SMT）应用中能有效散热。该器件采用标准的8-SOIC封装，便于自动化生产并节省电路板空间。

基于其双通道、逻辑电平驱动、中压中流的特性组合，AO4850非常适合用于需要紧凑布局和高效控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、电池管理系统的负载开关，以及各种电源分配和逻辑控制模块。其双MOSFET集成的设计尤其有利于需要两个开关管对称工作的电路，简化了布局并提高了系统可靠性。

• 制造商产品型号：AO4850
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：380pF @ 30V
• 功率-最大值：1.1W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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