

AO6804技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SC-74,SOT-457
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 4A 6TSOP
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AO6804技术参数详情说明:
AO6804是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用双N沟道共漏极配置的MOSFET阵列。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造,集成了两个独立的增强型N沟道MOSFET于一个紧凑的封装内。其共漏极连接方式简化了在需要同步开关或并联应用中的电路布局,特别适合空间受限的设计。芯片的架构优化了电流通路,旨在实现低导通损耗和高开关效率的平衡。
作为一款逻辑电平门驱动的MOSFET,AO6804的核心优势在于其卓越的开关性能与低导通电阻。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V,确保了其能够被3.3V或5V的微控制器GPIO端口直接、可靠地驱动,无需额外的电平转换电路,这极大地简化了系统设计。在4.5V的栅源电压下,其导通电阻(Rds(on))典型值低至32毫欧(在5A电流条件下),这意味着在承载额定电流时,器件的功率损耗极低,有助于提升整体能效并减少发热。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为7.7nC,输入电容(Ciss)也处于较低水平,这使得开关过程中的充放电速度更快,开关损耗更小,非常适合高频PWM(脉宽调制)应用,如DC-DC转换器或电机驱动中的开关元件。
该器件的主要电气参数定义了其可靠的工作边界。其漏源击穿电压(Vdss)为20V,连续漏极电流(Id)在25°C下可达4A,最大功耗为800mW。这些参数使其能够胜任多种低压、中电流的功率开关任务。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。在物理封装上,AO6804采用表面贴装型的SC-74(也称为SOT-457)封装,这是一种超小型的6引脚TSOP封装,极大地节省了PCB板面积,非常符合现代电子产品小型化、高密度的设计趋势。对于需要可靠供应链支持的批量项目,建议通过官方AOS授权代理进行采购,以确保获得正品和技术支持。
基于其特性组合,AO6804非常适合应用于对空间和效率有双重要求的领域。在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,它常被用于电源管理单元的负载开关、电池保护电路以及LED背光驱动。在计算与通信领域,它可以用于主板上的DC-DC同步整流、低侧开关以及信号切换。此外,在小型有刷直流电机驱动、低功率伺服控制等工业控制场景中,其快速的开关速度和双通道共漏极结构也能发挥重要作用。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和参数特性仍为同类低压、高效率MOSFET的选择提供了重要参考。
- 制造商产品型号:AO6804
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 6TSOP
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:2 N 沟道(双)共漏
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):4A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 5A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.7nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):725pF @ 10V
- 功率-最大值:800mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SC-74,SOT-457
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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