AOB15S65L技术参数

AOB15S65L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件基于先进的MOSFET（金属氧化物）技术构建，其核心设计旨在实现高压、大电流应用中的高效率与高可靠性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）与15A的连续漏极电流（Id）能力，为功率转换系统提供了坚实的电压阻断和电流处理基础，同时，在高达150°C的结温（TJ）下仍能保证稳定工作，展现了其宽温域下的鲁棒性。

该器件的关键性能体现在其优异的开关特性与导通损耗控制上。在10V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，例如在7.5A电流条件下最大值为290毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.2nC @ 10V，结合841pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，能够实现快速开关，减少开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了充足的驱动安全裕度。

在电气参数方面，AOB15S65L的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力和可靠的关断特性。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散能力高达208W，配合TO-263封装优良的热性能，使其能够有效管理工作中产生的热量。这些特性共同构成了一个在高压侧开关、同步整流以及电机驱动等场景中表现均衡的解决方案。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方指定的AOS中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

综合其650V/15A的规格、优化的开关性能以及坚固的封装，AOB15S65L非常适合于要求严苛的工业与消费类电源应用。其典型应用场景包括但不限于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、UPS（不间断电源）系统中的逆变与整流模块、工业电机驱动器的功率级以及高效照明（如LED驱动）的功率转换部分。尽管该型号目前状态为不适用于新设计，但其成熟的设计与验证过的性能，使其在现有产品维护、升级或对成本与可靠性有特定要求的项目中，依然是一个值得考虑的高性价比选择。

• 型号:AOB15S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:841 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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