AOB260L技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AOB260L采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件基于优化的单元结构，能够在高电流下维持极低的导通损耗，其TO-263（DPak）封装不仅提供了优异的表面贴装兼容性，更通过大面积金属裸露焊盘实现了卓越的热管理能力，将结壳热阻降至最低，从而支持更高的持续功率处理能力。

该芯片的关键电气性能表现突出，其漏源电压（Vdss）额定值为60V，能够满足多种中压应用场景的需求。在导通特性方面，在10V驱动电压、20A电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至2.2毫欧，这一超低阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为180nC @ 10V，结合3.2V @ 250A的阈值电压（Vgs(th)），意味着它具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源的开关频率并简化驱动电路设计。

在接口与可靠性参数上，AOB260L展现了宽泛的工作适应性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为20A，而在管壳温度（Tc）下可高达140A，配合最大330W（Tc）的功率耗散能力，使其能够应对严苛的峰值负载。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在工业及汽车等恶劣环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的规格书、样品及供应链服务。

凭借上述综合特性，AOB260L非常适用于对效率和功率密度有严格要求的高性能电源转换领域。其典型应用包括但不限于服务器/通信设备的DC-DC转换器、大电流负载开关、电机驱动控制器以及各类工业电源模块。其高电流处理能力和优异的散热性能，使其成为中大功率同步整流、逆变和功率分配单元中的理想开关元件选择。

• 制造商产品型号：AOB260L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：180nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14200pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），330W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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