AOB414技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列中的一员，AOB414是一款采用N沟道技术的功率MOSFET。该器件采用成熟的MOSFET（金属氧化物）技术制造，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。其设计优化了沟道电阻与电荷平衡，使得在给定的芯片面积下，能够实现较低的导通电阻与快速的开关特性，这对于提升系统整体能效至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，能够满足中高压应用场景的需求。在电流处理能力方面，它表现出色：在25°C环境温度（Ta）下，连续漏极电流（Id）为6.6A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达51A，这得益于其优秀的封装热性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为25毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs下为34nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用尤为重要。

在接口与参数方面，AOB414的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最小驱动电压为7V即可获得较低的Rds(On)，而最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较强的栅极可靠性。其输入电容（Ciss）在50V Vds下最大值为2200pF。器件采用表面贴装型的TO-263（DPak）封装，该封装具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下可达150W，确保了在高功率密度设计中的稳定运行。器件的工作结温（TJ）范围宽广，为-55°C至175°C，适用于严苛的工业环境。如需获取样品或进行批量采购，可以联系官方授权的AOS代理商。

基于其100V的耐压、高电流能力、低导通电阻以及优秀的封装散热特性，AOB414非常适合于多种功率转换与管理场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源（UPS）系统以及工业电源中的功率开关部分。其稳健的性能使其成为工程师在设计中追求高效率、高可靠性的优选功率器件。

• 制造商产品型号：AOB414
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Ta），51A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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