AOB414技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列中的一员，AOB414是一款采用N沟道技术的功率MOSFET。该器件采用成熟的MOSFET（金属氧化物）技术制造，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。其设计优化了沟道电阻与电荷平衡，使得在给定的芯片面积下，能够实现较低的导通电阻与快速的开关特性，这对于提升系统整体能效至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，能够满足中高压应用场景的需求。在电流处理能力方面，它表现出色：在25°C环境温度（Ta）下，连续漏极电流（Id）为6.6A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达51A，这得益于其优秀的封装热性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为25毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs下为34nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用尤为重要。

在接口与参数方面，AOB414的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最小驱动电压为7V即可获得较低的Rds(On)，而最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较强的栅极可靠性。其输入电容（Ciss）在50V Vds下最大值为2200pF。器件采用表面贴装型的TO-263（DPak）封装，该封装具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下可达150W，确保了在高功率密度设计中的稳定运行。器件的工作结温（TJ）范围宽广，为-55°C至175°C，适用于严苛的工业环境。如需获取样品或进行批量采购，可以联系官方授权的AOS代理商。

基于其100V的耐压、高电流能力、低导通电阻以及优秀的封装散热特性，AOB414非常适合于多种功率转换与管理场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源（UPS）系统以及工业电源中的功率开关部分。其稳健的性能使其成为工程师在设计中追求高效率、高可靠性的优选功率器件。

• 型号:AOB414
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta），51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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