AOB470L技术参数

AOB470L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于TO-263（DPak）表面贴装型封装中，专为高效率、高功率密度应用而设计。该器件在结构上优化了单元密度与沟道设计，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，其漏源电压（Vdss）高达75V，为中等电压范围的电源与电机控制应用提供了可靠的电压裕量。

在电气性能方面，AOB470L展现了卓越的导通特性，其在10V驱动电压、30A电流条件下的导通电阻（Rds(On)）典型值低至10.2毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达10A，而在借助封装良好散热（Tc条件下）时，该值更能达到100A，显示出强大的峰值电流处理能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为136nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了工业应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，增强了抗栅极噪声干扰的能力。工作结温（TJ）范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。功率耗散能力在Tc条件下高达268W，配合TO-263封装优异的散热性能，使其能够应对持续的高功率负载。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与设计资源。

基于其75V的耐压、低至毫欧级的导通电阻以及出色的热性能，AOB470L非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动与控制系统（如电动工具、风扇驱动）、不间断电源（UPS）以及各类开关电源中的同步整流和功率开关环节。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOB470L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：136nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5640pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），268W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB470L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。