AOD2904技术参数

AOD2904是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装形式为TO-252（D-Pak），适用于表面贴装工艺。该器件设计用于处理高达100V的漏源电压，其核心优势在于在10V栅极驱动下，能够实现极低的导通电阻，典型值仅为10毫欧（在20A电流条件下测得），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

在电气特性方面，AOD2904展现了出色的电流处理能力。在环境温度（Ta）25°C下，其连续漏极电流额定值为10.5A；而在借助封装外壳（Tc）进行有效散热的情况下，该值可显著提升至70A，这突显了其强大的峰值电流承载和瞬态过载能力。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为3.4V，确保了与标准逻辑电平或微控制器PWM信号的良好兼容性。同时，其栅极电荷Qg（最大值52nC @ 10V）和输入电容Ciss（最大值2785pF @ 50V）参数处于优化水平，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

该器件的接口与可靠性参数同样值得关注。其栅源电压Vgs可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极过压能力。最大功率耗散在环境温度下为2.7W，在管壳温度下则高达125W，强调了有效热管理对于发挥其全部性能的重要性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要获取详细技术资料或采购支持的工程师，可以联系AOS中国代理以获取进一步信息。

基于其100V耐压、低导通电阻、高电流能力以及优化的开关特性，AOD2904非常适合于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护模块以及各类工业电源中的负载开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类功率器件的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 制造商产品型号：AOD2904
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 10.5A/70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.5A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：52nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2785pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.7W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD2904现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。