AOD2HC60技术参数

AOD2HC60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中，为工程师在高压开关应用中提供了一个高性价比的解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，确保器件在关断时能可靠地阻断高达600V的漏源电压，同时在导通时具备较低的功率损耗。

该器件具备多项突出的功能特性。其600V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为10nC，结合适中的输入电容，意味着所需的栅极驱动功率较小，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，提升高频开关性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取相关技术支持和供货信息。

在接口与关键参数方面，AOD2HC60的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达2.5A，最大功耗为74W（Tc），结合-50°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在恶劣环境下的稳定性和鲁棒性。TO-252封装提供了良好的散热路径，便于通过PCB铜箔进行热管理。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、LED照明驱动、家用电器电机控制以及各种辅助电源模块。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计的维护、备件或对成本极其敏感且技术指标匹配的新设计中，它仍然是一个值得考虑的高可靠性选择。

• 型号:AOD2HC60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 800mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:466 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:74W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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