AOD380A60C技术参数

AOD380A60C是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）公司基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在600V的高压等级下实现了优异的导通电阻与栅极电荷性能平衡。其核心设计目标是在高开关频率的应用中，有效降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的耐压和载流基础。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、5.5A测试条件下，Rds(on)最大值仅为380毫欧，这直接转化为更低的通态功耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC（@10V），结合955pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关响应速度，有助于减少开关过渡过程中的损耗。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与参数方面，AOD380A60C采用标准的TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的装配特性。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的Vgs，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的阈值电压Vgs(th)最大值为3.8V，提供了足够的噪声容限。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散能力为125W（基于壳温Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，AOD380A60C非常适用于需要高效功率转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动控制、工业照明（如LED驱动）以及不同断电源（UPS）系统中的功率级设计。在这些场景中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是工程师实现高性能、高可靠性电源解决方案的理想选择。

• 型号:AOD380A60C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:955 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD380A60C现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。