AOD4136技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SDMOS产品系列的一员，AOD4136是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面MOSFET工艺，在硅片上构建了高密度的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的紧凑性，其内部结构优化了从芯片到封装引脚的热传导路径。

在电气性能方面，25V的漏源击穿电压（Vdss）使其非常适用于低压、大电流的开关环境。其最突出的特性之一是在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。该器件具有25A的连续漏极电流（Id）承载能力，并且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够被常见的逻辑电平或微控制器GPIO口轻松驱动，简化了驱动电路设计。

除了静态参数，其动态性能同样关键。栅极总电荷（Qg）最大值仅为16.8nC，结合约734pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有助于实现高频开关并降低驱动电路的损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在苛刻环境下的可靠性。最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达30W，这要求在实际应用中通过PCB铜箔或散热器进行有效的热管理。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

基于上述特性，该MOSFET非常适合作为同步整流、电机驱动、DC-DC转换器中的主开关或负载开关。其低导通电阻和高电流处理能力，使其在服务器电源、电动工具、电池管理系统以及各类消费电子产品的电源管理单元中，能够有效提升功率密度和整体能效。尽管该产品已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍代表了该电压等级下功率MOSFET的经典解决方案，为后续型号的选型与设计提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AOD4136
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 25A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：734pF @ 12.5V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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