AOD4136技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SDMOS产品系列的一员，AOD4136是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面MOSFET工艺，在硅片上构建了高密度的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的紧凑性，其内部结构优化了从芯片到封装引脚的热传导路径。

在电气性能方面，25V的漏源击穿电压（Vdss）使其非常适用于低压、大电流的开关环境。其最突出的特性之一是在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。该器件具有25A的连续漏极电流（Id）承载能力，并且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够被常见的逻辑电平或微控制器GPIO口轻松驱动，简化了驱动电路设计。

除了静态参数，其动态性能同样关键。栅极总电荷（Qg）最大值仅为16.8nC，结合约734pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有助于实现高频开关并降低驱动电路的损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在苛刻环境下的可靠性。最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达30W，这要求在实际应用中通过PCB铜箔或散热器进行有效的热管理。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

基于上述特性，该MOSFET非常适合作为同步整流、电机驱动、DC-DC转换器中的主开关或负载开关。其低导通电阻和高电流处理能力，使其在服务器电源、电动工具、电池管理系统以及各类消费电子产品的电源管理单元中，能够有效提升功率密度和整体能效。尽管该产品已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍代表了该电压等级下功率MOSFET的经典解决方案，为后续型号的选型与设计提供了重要参考。

• 型号:AOD4136
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 25A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:734 pF @ 12.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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