AOD456技术参数

AOD456是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的优化平衡。其25V的漏源击穿电压（Vdss）为低压开关应用提供了充足的安全裕度，而50A（Tc）的连续漏极电流额定值则使其能够胜任高负载通路的角色。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通电阻特性上。在10V栅极驱动电压（Vgs）和30A漏极电流（Id）的条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至6毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动特性也经过优化，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为3V，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。同时，38nC（@10V）的最大栅极总电荷（Qg）与2220pF（@12.5V）的最大输入电容（Ciss）共同决定了较快的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗。

在接口与热管理方面，AOD456采用业界通用的三引脚TO-252封装，便于PCB布局和自动化贴装。其热性能参数明确，在25°C环境温度（Ta）下最大功耗为3W，而当借助散热片将结温（Tc）作为参考时，最大功耗可达50W，这为设计中的热设计提供了清晰的指导。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以联系AOS总代理获取进一步的商务与产品信息。

综合其电气参数与封装特性，AOD456非常适合应用于需要高效率、高电流密度的DC-DC转换器同步整流侧、电机驱动H桥的低边开关、电池保护电路以及各类低压大电流的负载开关场景。其平衡的性能组合使其成为工程师在12V或24V总线系统中构建高效功率转换链路的可靠选择之一。

• 制造商产品型号：AOD456
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 50A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2220pF @ 12.5V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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