AOD4C60技术参数

AOD4C60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的封装内实现了高电压与高功率处理能力的平衡，其设计旨在满足工业级应用对可靠性和效率的严格要求。

该器件的核心架构基于优化的单元设计，以实现较低的导通电阻与栅极电荷。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在高压开关应用中的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，配合最大125W的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率水平。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压、1.3A漏极电流条件下典型值为950毫欧，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。

在开关特性方面，最大栅极电荷（Qg）仅为18nC（@10V），结合最大910pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的驱动电流较小，有助于简化栅极驱动设计并降低开关损耗，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较宽的驱动兼容性和一定的抗干扰能力。其宽泛的结温工作范围（-50°C ~ 175°C）也保证了其在苛刻环境下的稳定运行。

该器件适用于多种离线电源转换和电机控制场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的PFC（功率因数校正）电路、反激式或正激式转换器的主开关、以及电机驱动、逆变器和照明镇流器中的功率开关。对于需要可靠高压开关解决方案的设计工程师，通过正规的AOS代理获取该器件，可以获得完整的技术支持与供应链保障。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍为理解同类高压MOSFET的选型提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AOD4C60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：950 毫欧 @ 1.3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：910pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD4C60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。