AOD4C60技术参数

AOD4C60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的封装内实现了高电压与高功率处理能力的平衡，其设计旨在满足工业级应用对可靠性和效率的严格要求。

该器件的核心架构基于优化的单元设计，以实现较低的导通电阻与栅极电荷。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在高压开关应用中的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，配合最大125W的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率水平。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压、1.3A漏极电流条件下典型值为950毫欧，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。

在开关特性方面，最大栅极电荷（Qg）仅为18nC（@10V），结合最大910pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的驱动电流较小，有助于简化栅极驱动设计并降低开关损耗，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较宽的驱动兼容性和一定的抗干扰能力。其宽泛的结温工作范围（-50°C ~ 175°C）也保证了其在苛刻环境下的稳定运行。

该器件适用于多种离线电源转换和电机控制场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的PFC（功率因数校正）电路、反激式或正激式转换器的主开关、以及电机驱动、逆变器和照明镇流器中的功率开关。对于需要可靠高压开关解决方案的设计工程师，通过正规的AOS代理获取该器件，可以获得完整的技术支持与供应链保障。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍为理解同类高压MOSFET的选型提供了有价值的参考。

• 型号:AOD4C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD4C60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。