AOD514_050技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AOD514_050采用了先进的N沟道MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率转换与开关控制。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在硅片层面有效平衡了导通电阻、栅极电荷与开关速度等关键参数，为系统提供了坚实的性能基础。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种低压应用的需求。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为6.5毫欧，这一极低的导通损耗特性直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22.5nC（@10V），结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着它能够被快速驱动，从而显著降低开关损耗，提升整体开关频率和动态响应能力。

该MOSFET封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中，这种封装形式提供了良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达50W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。电流承载能力是其另一亮点，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为17A，而在壳温（Tc）条件下则高达46A，这为设计高电流密度应用提供了充足的裕量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取相关服务与资源。

凭借其低导通电阻、快速开关特性以及强大的电流处理能力，AOD514_050非常适合于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关元件、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类电源管理系统。它在空间受限且对效率和热管理有较高要求的设备中，能够发挥关键作用，是工程师设计高性能、高可靠性功率电路的优选器件之一。

• 制造商产品型号：AOD514_050
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD514_050现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。