AOD516_001技术参数

AOD516_001是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。该芯片采用成熟的平面工艺制造，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其30V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕量，而N沟道设计使其成为高效低侧开关或同步整流应用的理想选择。器件采用热性能优异的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，便于自动化生产并提升功率密度。

该器件在电气性能上表现突出，其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为5毫欧。这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V @ 250A，与标准逻辑电平兼容性良好，简化了驱动电路设计。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。

在接口与参数方面，AOD516_001提供了宽泛的工作条件。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为18A，在壳温（Tc）25°C下可达46A，展现了强大的电流处理能力。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其最大功率耗散在壳温条件下为50W，结合TO-252封装良好的热传导路径，确保了在高功率场景下的可靠散热。工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C，使其能够适应严苛的工业与汽车环境。

基于其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，AOD516_001非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发与选型提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AOD516_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD516_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。