AOD526_DELTA技术参数

AOD526_DELTA是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的AlphaMOS系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，在TO-252（D-Pak）表面贴装封装内实现了优异的功率密度与热性能平衡。其核心设计旨在通过优化单元结构和工艺，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，将导通电阻（Rds(On)）降至极低水平，从而显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。在Tc=25°C条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达50A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在Vgs=10V、Id=20A的测试条件下，最大值仅为5毫欧，这一低Rds(On)特性对于减少功率损耗至关重要。同时，器件具有2.4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）以及33nC的最大栅极总电荷（Qg），这有助于实现快速开关并降低栅极驱动电路的损耗，使其在需要高频操作的场合中表现优异。其坚固性还体现在±20V的最大栅源电压耐受能力以及高达175°C的结温（TJ）工作范围上。

在接口与参数方面，AOD526_DELTA采用标准的TO-252封装，便于自动化表面贴装生产，并提供了良好的散热路径。其最大功率耗散在Tc条件下可达50W，结合低至1550pF的输入电容（Ciss），确保了在开关过程中具有较快的响应速度。对于需要可靠元器件供应的项目，可以咨询官方AOS总代理以获取详细的产品支持与库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估替代方案或库存可用性。

基于其30V/50A的额定值与快速开关特性，该器件非常适用于中低电压、大电流的功率转换与管理场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、以及各类电源管理系统中的功率分配单元。其优异的效率与热性能使其成为对空间和能效有严格要求的消费电子、计算机周边设备和工业控制设备的理想选择之一。

• 制造商产品型号：AOD526_DELTA
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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