AOD7N60技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 7A TO252
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AOD7N60技术参数详情说明：
AOD7N60是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。该器件构建于优化的硅基之上，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的平衡，其单元结构经过精心设计，以提供稳健的雪崩耐量和较低的栅极电荷。
该器件的核心优势在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值较低，结合7A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在导通期间具有较低的传导损耗。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关延迟，提升整体能效。
在电气接口与可靠性参数上，AOD7N60的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）设计合理，有助于增强抗干扰能力，防止误触发。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散可达178W，结合其-50°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，赋予了其出色的热管理和环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取相关技术支持和库存信息。
基于其高耐压、中等电流处理能力以及TO-252封装带来的良好散热特性，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及LED照明驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效承担功率开关的核心任务，帮助系统实现高效率和紧凑的设计。
- 制造商产品型号：AOD7N60
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO252
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 3.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1170pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：178W（Tc）
- 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD7N60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
