AOI2210技术参数

AOI2210是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-251A（IPAK）通孔封装中。该器件基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，其核心架构确保了在开关应用中能够高效处理功率转换任务。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达200V，使其能够可靠地工作在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压场合。其导通电阻特性表现突出，在10V栅极驱动电压、18A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为105毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，配合标准逻辑电平驱动，易于控制。

在动态特性方面，AOI2210的栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，尤其是在高频开关电源应用中，可以显著降低驱动电路的负担并提升开关速度。其输入电容（Ciss）为2065pF，设计时需结合驱动能力进行考量。器件支持±20V的最大栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。其结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C到175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达100W，但需注意其通孔封装要求良好的PCB散热设计。

这款器件非常适合应用于AC-DC开关电源的初级侧开关、电机驱动控制电路、DC-DC转换器以及电感负载开关等场景。其200V的耐压和3A（环境温度）/18A（壳温）的连续电流能力，使其成为中小功率离线式电源和电机控制项目中一个经典的选择。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理进行采购与咨询。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时，建议评估替代方案或现有库存的可用性。

• 制造商产品型号：AOI2210
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2065pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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