AOI516_001技术参数

AOI516_001 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用成熟的平面 MOSFET 技术，在硅片上构建了优化的元胞结构，以实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心设计旨在通过降低栅极电荷和输出电容，有效提升开关效率，减少开关过程中的能量损耗，这对于高频应用中的整体系统能效至关重要。

该 MOSFET 的突出特性在于其优异的导通性能。在 10V 栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至 5 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的电流处理能力。其连续漏极电流在环境温度下可达 18A，而在管壳温度下更能支持高达 46A，展现了强大的功率承载潜力。同时，其栅极阈值电压最大值为 2.2V，并与 4.5V 至 10V 的标准驱动电压范围良好兼容，确保了与主流逻辑电平控制器和驱动 IC 的便捷对接，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，AOI516_001 具备 30V 的漏源击穿电压，适用于常见的 12V 至 24V 低压总线系统。其栅极电荷最大值仅为 33nC，结合 1229pF 的输入电容，共同决定了其快速的开关瞬态响应能力，有助于降低开关损耗并允许更高的工作频率。器件采用坚固的 TO-251B (IPAK) 通孔封装，提供了良好的机械强度和散热路径，其结温工作范围宽达 -55°C 至 175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以联系 AOS中国代理 获取进一步的商务与技术服务。

凭借上述特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护板以及各类电源管理模块。其平衡的性能参数使其成为工程师在低压、大电流开关电源和功率控制解决方案中一个值得考虑的高性价比选择。

• 制造商产品型号：AOI516_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251B
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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