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AOK30B60D1技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 600V 60A 208W TO247
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AOK30B60D1技术参数详情说明:

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOK30B60D1 是一款采用TO-247-3封装的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),隶属于其Alpha IGBT产品系列。该器件集成了600V的集射极击穿电压与60A的连续集电极电流处理能力,在高压大电流应用场景中展现出卓越的电气特性。其核心设计旨在优化导通损耗与开关性能的平衡,通过先进的沟槽栅场截止技术,实现了较低的饱和压降与快速的开关响应,从而有效提升系统整体能效与功率密度。

在电气性能方面,AOK30B60D1在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=26A)展现出最大仅为2.4V的集电极-发射极饱和压降(Vce(on)),这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。其开关特性尤为突出,开启延迟时间(Td(on))与关断延迟时间(Td(off))分别低至20ns和58ns(测试条件:400V,30A),配合仅为1.1mJ(开启)和240J(关断)的开关能量,确保了在高频开关电源或电机驱动电路中能够实现高效、快速的功率切换,同时减少开关损耗。此外,34nC的低栅极电荷降低了驱动电路的设计复杂性与功耗,120ns的反向恢复时间则有助于改善其在续流二极管模式下的表现。

该器件提供了标准输入类型,兼容常见的栅极驱动电平,便于系统集成。其最大功耗为208W,结合TO-247封装优异的散热能力,使其能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作,满足工业级应用的严苛环境要求。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目,通过官方AOS授权代理进行采购是确保产品正品与获取完整技术资料的有效途径。

基于其高电压耐受性、大电流处理能力、低导通与开关损耗以及坚固的封装,AOK30B60D1非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业电机驱动与变频器、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机以及各类开关模式电源(SMPS)的功率级。在这些场景中,它能够作为核心开关元件,有效管理能量流,提升系统性能与寿命。

  • 制造商产品型号:AOK30B60D1
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 600V 60A 208W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):96A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,26A
  • 功率-最大值:208W
  • 开关能量:1.1mJ(开),240J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:34nC
  • 25°C时Td(开/关)值:20ns/58ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):120ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOK30B60D1现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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