AOK8N80L技术参数

作为一款高性能的功率开关器件，AOK8N80L采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构基于N沟道设计，能够在高电压环境下实现稳定可靠的电流控制。该器件在结构上优化了单元密度和沟道设计，旨在平衡导通电阻与栅极电荷等关键参数，从而在开关损耗和导通损耗之间取得良好平衡，这对于提升整体电源系统的效率至关重要。

在功能特性方面，800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌冲击，提供了宽裕的设计余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A电流条件下典型值为1.63欧姆，较低的导通损耗有助于减少器件在导通状态下的发热。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为32nC，结合1650pF的输入电容（Ciss），意味着该MOSFET具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于在高频开关电源应用中提升效率并简化栅极驱动电路的设计。

该器件采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的散热性能，其在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散可达245W。电气参数方面，其连续漏极电流（Id）在壳温条件下为7.4A，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，这为驱动电路的设计提供了灵活性和鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取相关的技术支持和库存信息。

基于其高耐压、低栅极电荷和良好的热性能，AOK8N80L非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）等系统中。在这些应用场景中，它能够作为主功率开关管，有效管理能量转换，是实现紧凑、高效电源解决方案的关键组件之一。

• 型号:AOK8N80L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.63 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:245W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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