AOL1448技术参数

作为一款采用先进MOSFET技术的功率开关器件，AOL1448的核心架构基于N沟道设计，其金属氧化物半导体场效应晶体管结构在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的电气性能与可靠性。该器件在紧凑的UltraSO-8封装内集成了高功率密度特性，其沟道优化设计旨在降低导通损耗并提升开关效率，为空间受限的高性能应用提供了理想的解决方案。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的电流处理能力与极低的导通电阻上。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）可达11A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达36A的电流。其关键性能指标导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）及20A漏极电流条件下，最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为18nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速开关特性和低驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AOL1448的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了稳健的驱动兼容性和安全性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V @ 250A，具备良好的逻辑电平兼容性。该器件采用表面贴装型（SMT）安装，UltraSO-8封装在提供出色散热性能（管壳温度下最大功率耗散为30W）的同时，保持了极小的占板面积。其宽广的工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和供货信息，可联系授权的AOS代理。

基于上述技术特性，AOL1448非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：同步整流电路、DC-DC转换器（尤其是负载点降压转换器）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，使其成为提升系统能效和功率密度的关键元件，尤其适用于计算设备、通信基础设施、工业自动化及便携式电子设备中的电源子系统设计。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品或咨询制造商以获取最新产品信息。

• 型号:AOL1448
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:UltraSO-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A/36A ULTRASO8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:UltraSO-8
• 封装/外壳:3-PowerSMD，引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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