AON1611技术参数

AON1611是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的6-DFN（1.6x1.6mm）封装，专为高密度、空间受限的现代电子设备设计，其表面贴装形式便于自动化生产，提升了装配效率和可靠性。

该芯片的核心架构旨在实现高效率与低损耗的平衡。其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可支持高达4A的连续漏极电流，为负载开关、电源路径管理等应用提供了坚实的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）是关键性能指标，在4.5V驱动电压（Vgs）和4A电流条件下，最大值仅为58毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效并减少热管理需求。

在开关性能方面，AON1611表现出色。栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC @ 4.5V，结合较低的输入电容（Ciss），使得栅极驱动电路的设计更为简单，并能实现快速的开关速度，这对于高频开关应用至关重要，可以有效降低开关损耗。其阈值电压（Vgs(th)）最大值在250A漏极电流下为900mV，确保了在标准逻辑电平（如3.3V或5V）下的可靠开启与关断，简化了与微控制器或电源管理芯片的直接接口设计。

器件的稳健性体现在其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和±8V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力上，这为设计提供了充足的余量，增强了系统在恶劣环境或电压瞬变情况下的可靠性。其最大功率耗散为1.8W（Ta），结合DFN封装优良的热性能，确保了有效的热量散发。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细信息、样品和技术支持。AON1611广泛应用于需要高效电源管理的领域，如智能手机、平板电脑、便携式设备的负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类USB供电设备中的电源分配模块。

• 制造商产品型号：AON1611
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：550pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-DFN（1.6x1.6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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