AON6284技术参数

AON6284是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在提供高功率处理能力的同时，优化了PCB空间占用。其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，这对于提升系统效率和降低开关损耗至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气性能。它在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.1毫欧（在20A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件具备80V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。

在接口与参数方面，AON6284支持高达±20V的栅源电压（Vgs），增强了栅极驱动的鲁棒性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为24A，在管壳温度（Tc）下可达78A，展现了强大的电流处理能力。最大结温（TJ）范围为-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品及相关服务。

凭借其高性能指标，该器件广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理系统。其高耐压、大电流和低损耗的特性，使其成为工业设备、通信基础设施、消费类电子及汽车辅助系统中功率开关部分的理想选择，能够有效提升终端产品的能效和功率密度。

• 制造商产品型号：AON6284
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 24A/78A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta），78A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2162pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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