AON6400L_002技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AON6400L_002采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的单元设计和沟槽工艺。该器件在8-DFN（5x6）的紧凑封装内实现了优异的电气性能平衡，其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适合中低压应用环境。芯片内部通过精密的布局降低了寄生参数，从而为高效率的功率转换和开关控制奠定了物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通损耗和强大的电流处理能力。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为31A，而在管壳温度为25°C时，这一数值可高达85A，展现了出色的散热潜力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为1.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，配合最大±20V的栅源电压，确保了与多种驱动电路的兼容性和应用的灵活性。

在动态性能方面，AON6400L_002同样表现出色。其在10V Vgs下的最大栅极电荷（Qg）为170nC，结合15V Vds下的最大输入电容（Ciss）为8300pF，这些参数共同决定了快速的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达83W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了器件在严苛环境下的可靠运行。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借上述特性，该器件主要面向对效率和功率密度有高要求的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点POL转换）、电机驱动控制和电池保护电路的理想选择。其表面贴装型（SMT）的8-DFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了热性能，使其能够广泛应用于计算设备、通信基础设施、工业自动化以及便携式电子产品的电源管理模块中。

• 制造商产品型号：AON6400L_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 31A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6400L_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。