AON6403L技术参数

AON6403L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装中。其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，通过优化的单元设计和低电阻金属化工艺，在有限的芯片面积内实现了优异的电流处理能力与热性能平衡。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，提供了稳健的电压耐受性。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为3.1毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在196nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使其在频繁开关的应用中也能保持高效运行。

在接口与关键参数方面，AON6403L支持高达±20V的栅源电压（Vgs），为驱动设计提供了充足的裕量。其电流处理能力根据散热条件不同而有所区别，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为21A，而在管壳温度（Tc）下则可高达85A，这突显了其封装（带裸露焊盘）在良好散热设计下的强大潜力。最大功耗在Tc条件下可达83W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是推荐的渠道。

基于其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于需要高效率功率转换和控制的场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关与电源管理、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电池保护电路和电机驱动等。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式电子设备或高密度电路板设计的理想选择。

• 型号:AON6403L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:196 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9120 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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