AON6516技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AON6516采用了先进的沟槽栅MOSFET技术，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能。该器件在紧凑的8-DFN（5x6）封装内集成了优化的单元结构，有效降低了寄生电容和栅极电荷，从而在提升功率密度的同时，显著改善了开关效率与热性能，为高功率密度应用提供了可靠的半导体解决方案。

该芯片的显著特性在于其卓越的电气参数。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至5毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流在环境温度（Ta）下可达27A，在管壳温度（Tc）下更可支持32A，展现了强大的电流处理能力。

在接口与参数方面，AON6516的栅源驱动电压（Vgs）范围为±20V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，与标准逻辑电平兼容性好。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下为25W，结合表面贴装型封装，具有良好的散热潜力。工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的规格书、样品及设计支持。

基于其优异的性能组合，该器件非常适用于对效率和空间有严格要求的同步整流、电机驱动、负载开关及DC-DC转换器等应用场景。例如，在服务器电源、通信设备或电动工具的高频开关电源中，其低Rds(On)和高电流能力有助于减少热设计难度，而其快速的开关特性则能提升整体电源的功率密度和动态响应，是工程师实现高效、紧凑型电源设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6516
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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