AON6918技术参数

AON6918是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET工艺技术制造的功率器件。该芯片采用紧凑的8-WDFN表面贴装封装，内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，构成一个半桥配置，为空间受限的高密度电源和电机驱动应用提供了高度集成的解决方案。其设计核心在于优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的晶圆制造和封装工艺，实现了在极小占板面积下的高效功率处理能力。

该器件的一个显著特性是其逻辑电平门极驱动，标准栅极阈值电压最大值为2.3V，使其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字信号处理器直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体BOM成本。在电气性能方面，AON6918在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至5.2毫欧（在20A条件下），这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为21nC，结合1560pF的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数层面，该MOSFET阵列的漏源击穿电压（Vdss）为25V，能够满足多种低压DC-DC转换器、负载开关及电机驱动的需求。其连续漏极电流（Id）在25°C下分别标定为15A和26.5A，最大功耗为2W至2.2W，展现了稳健的电流处理能力。宽广的结温工作范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

基于其高性能与高集成度，AON6918非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：同步整流DC-DC降压转换器、笔记本电脑和台式机的CPU/GPU供电VRM模块、高密度服务器电源、电池保护电路以及小型有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路。其半桥集成形式尤其有利于构建紧凑的同步Buck转换器拓扑，有效减少功率回路寄生参数，提升电源模块的功率密度和瞬态响应性能。

• 制造商产品型号：AON6918
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A，26.5A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1560pF @ 15V
• 功率-最大值：2W，2.2W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-WDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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