AON7240_101技术参数

AON7240_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，集成于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装内，其设计旨在实现高功率密度与卓越的电气性能。其核心架构优化了单元密度与沟道迁移率，在保证高耐压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这对于提升开关电源等应用的效率和频率响应至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为40V，能够为常见的12V或24V总线系统提供充足的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19A，而在管壳温度下更可支持40A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为5.1毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC @ 10V，结合2.4V（最大值）的阈值电压，意味着该MOSFET易于驱动，能够实现快速开关并降低栅极驱动电路的损耗，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AON7240_101的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，为驱动设计提供了灵活性。其输入电容（Ciss）在20V漏源电压下最大值为2200pF，是评估开关速度的重要参数。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在严苛环境下的可靠性。其最大功率耗散能力在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达36.7W，优异的散热性能得益于其带有裸露焊盘的DFN封装设计，该设计优化了热传导路径至PCB。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

基于其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，AON7240_101非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护模块以及各类高效率的开关电源（SMPS）拓扑结构。其紧凑的封装尺寸尤其适合空间受限的现代电子设备，帮助设计工程师在提升系统性能的同时优化整体布局。

• 制造商产品型号：AON7240_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），36.7W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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