AON7254技术参数

AON7254是一款采用先进沟槽MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的AlphaMOS产品系列。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装，实现了高功率密度与卓越散热性能的结合。其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗的平衡，通过精心的芯片布局和封装工艺，显著降低了寄生参数，为高效率功率转换应用提供了可靠的半导体解决方案。

该器件在电气性能上表现出色，其漏源击穿电压（Vdss）高达150V，确保了在离线式电源、电机驱动等高压环境下的稳定工作。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（Vgs）和5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至54毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数设计上，AON7254提供了宽泛的工作适应性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，与标准逻辑电平驱动兼容，而栅源电压可承受±20V的最大值，增强了抗干扰能力。器件的电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达17A，展现了强大的功率输出潜力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持高达39W（Tc）的功率耗散，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与相关服务。

基于其高压、低阻、快速开关的特性组合，AON7254非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括AC-DC开关电源中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器，以及电动工具、无人机电调、工业电机驱动等领域的H桥或半桥拓扑。其表面贴装型封装也顺应了现代电子设备小型化、自动化的生产趋势。

• 型号:AON7254
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5.5A/17A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta），17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:675 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），39W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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