AON7403技术参数

作为一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的功率MOSFET，AON7403采用了先进的P沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，在有限的PCB空间内集成了强大的功率处理能力，其热设计充分考虑了功率耗散需求，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达25W，确保了在高负载应用中的可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够适应常见的低压电源环境。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为18毫欧（测试条件为8A），这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在24nC（@15V），结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与关键参数层面，AON7403提供了灵活的驱动选项。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，而驱动电压范围支持高达±25V，兼容标准的5V和10V逻辑电平驱动，便于与微控制器或驱动IC直接连接。电流处理能力是其另一亮点，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为11A，而在壳温（Tc）条件下可高达29A，展现了强大的峰值电流承载潜力。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能够应对苛刻的环境条件，从工业控制到消费电子均可胜任。

基于上述特性，该器件非常适合用于需要高效电源管理的场景。典型的应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动中的H桥电路，以及各类便携式设备中的功率分配单元。工程师在选择此类高性能分立器件时，可以通过正规的AOS代理商获取完整的技术支持与供应链服务。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了有价值的参考。

• 型号:AON7403
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A/29A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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