AON7408技术参数

AON7408是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，在有限的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件在25°C环境温度下可提供10A的连续漏极电流，而在管壳温度条件下，其电流承载能力可提升至18A，这得益于其优化的芯片布局与封装热阻设计。

在功能特性方面，该MOSFET的突出优势在于其极低的导通电阻。在10V驱动电压及10A电流条件下，其导通电阻典型值仅为20毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.6nC @ 4.5V，结合较低的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）阈值最大值为2.6V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应4.5V，最小对应10V），使其既能兼容低电压逻辑电平驱动，也能在标准驱动电压下发挥最佳性能。

该器件的接口与关键参数设计均衡且可靠。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，为常见的12V或24V总线系统提供了充足的安全裕量。其栅源电压耐受范围达±20V，增强了抗栅极电压瞬态冲击的能力。工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。最大功率耗散在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达11W，用户可通过AOS总代理获取详细的热设计指导。这些参数共同塑造了器件高效、快速、坚固的特性。

基于上述特点，AON7408非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。其主要应用领域包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、锂电池保护与充放电管理模块，以及各类便携式设备、网络通信设备的电源管理单元。其小型化封装和优异的性能使其成为空间受限且需要高效电源解决方案设计的理想选择。

• 型号:AON7408
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:448 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），11W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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