AON7418技术参数

AON7418是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构基于优化的单元设计和低阻抗工艺，旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为1.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，对于提升功率转换效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在65nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达50A，展现出强大的电流处理能力。

在电气参数方面，AON7418的驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，这增强了其抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V @ 250A，确保了良好的导通特性与抗误触发能力。该器件支持高达83W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。它常见于同步整流、电机驱动、负载开关以及各类DC-DC转换器中，尤其是在服务器电源、通信设备、笔记本电脑适配器和电动工具等产品的电源管理模块中，能够有效提升功率密度和系统可靠性。

• 制造商产品型号：AON7418
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：46A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2994pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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