AON7418技术参数

AON7418是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构基于优化的单元设计和低阻抗工艺，旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为1.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，对于提升功率转换效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在65nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达50A，展现出强大的电流处理能力。

在电气参数方面，AON7418的驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，这增强了其抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V @ 250A，确保了良好的导通特性与抗误触发能力。该器件支持高达83W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。它常见于同步整流、电机驱动、负载开关以及各类DC-DC转换器中，尤其是在服务器电源、通信设备、笔记本电脑适配器和电动工具等产品的电源管理模块中，能够有效提升功率密度和系统可靠性。

• 型号:AON7418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2994 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7418现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。