AON7448技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SDMOS系列的一员，AON7448是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与高开关效率的平衡。其内部架构优化了电荷分布，有效降低了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这对于提升开关电源和电机驱动等应用中的频率响应和整体能效至关重要。

在电气性能方面，该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量。其导通电阻在10V驱动电压、10A电流条件下典型值低至30毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，最大栅极电荷仅为17.5nC，结合1100pF的输入电容，意味着栅极驱动需求简单，开关速度快，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达24A，展现了强大的电流处理能力，而工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。

该器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的栅极抗干扰能力。其阈值电压Vgs(th)最大为4.1V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器直接接口。在热管理方面，其最大功耗在壳温条件下标称为36W，配合有效的PCB散热设计，可以稳定处理较高的功率。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取相关技术资料与库存信息。

基于其高耐压、低内阻、快速开关的特性组合，AON7448非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电保护板以及各类电源管理模块。其DFN封装形式尤其适合空间受限的现代便携式电子设备、通信基础设施及工业自动化设备，能够在这些系统中实现高效的电能转换与功率控制。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

• 型号:AON7448
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 7.1A/24A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），36W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7448现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。