AON7752技术参数

AON7752是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装内。该器件基于硅基MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，为高效率功率转换提供核心开关元件。

该MOSFET的关键电气特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss），使其适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为15A，而当结温（Tc）作为参考时，该值可提升至16A，体现了其良好的电流承载能力。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=16A的条件下典型值仅为8.2毫欧，这一低导通损耗特性对于降低开关模式电源（SMPS）或电机驱动应用中的传导损耗至关重要，直接提升了系统整体能效。

在开关动态性能方面，AON7752在Vgs=10V时的栅极总电荷（Qg）最大值仅为15nC，同时，在Vds=15V条件下的输入电容（Ciss）最大值为605pF。这些参数共同决定了较低的栅极驱动需求与较快的开关速度，有助于减少开关损耗并允许使用更小、更经济的驱动电路。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而推荐的驱动电压范围在4.5V至10V之间，以确保完全开启并实现最低的Rds(On)，其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取详细的产品规格与技术支持。

该器件采用热增强型8-DFN封装，在结温（TJ）高达150°C的条件下仍能稳定工作，其工作温度范围覆盖-55°C至150°C。在环境温度（Ta）下最大功率耗散为3.1W，而当以封装底部金属焊盘作为主要散热路径（参考Tc）时，最大功率耗散可达20W，这要求在实际PCB布局中充分考虑散热设计以发挥其最大性能。尽管其零件状态标注为停产，但AON7752所代表的技术规格与设计理念，使其在诸如DC-DC同步整流降压转换器、低压电机驱动控制、电池保护电路以及负载开关等对功率密度和效率有较高要求的应用中，曾是一个经典且经过验证的解决方案选择。

• 制造商产品型号：AON7752
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/16A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），16A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 16A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：605pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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