AON7764技术参数

AON7764是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装中，实现了优异的功率密度与热性能平衡。其核心设计旨在提供极低的导通损耗和快速的开关特性，这对于提升现代电源转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），并在25°C环境温度下提供高达30A的连续漏极电流（Id），在管壳温度下可达32A。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为3.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AON7764采用标准的表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的设计余量。器件支持-55°C至150°C的结温（TJ）工作范围，在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为30W，结合带裸露焊盘的DFN封装，热性能出色，有助于系统散热设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关技术资料与采购信息。

基于其高性能参数，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护及负载开关等。其快速开关能力和低导通电阻特性，使其在同步降压转换器的低侧开关、OR-ing（或门）电路以及各类便携式设备的电源管理单元（PMU）中都能发挥关键作用，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍代表了该功率等级MOSFET的先进水平。

• 制造商产品型号：AON7764
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 30A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1990pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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