AOSP21357技术参数

AOSP21357是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-SOIC表面贴装封装内。该器件设计用于在30V的最大漏源电压（Vdss）下工作，能够在25°C环境温度下提供高达16A的连续漏极电流。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压和16A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为8.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

该MOSFET的栅极特性经过优化，具有2.3V（最大值）的阈值电压和70nC（最大值）的栅极总电荷（Qg @ 10V），这有助于实现快速开关并简化栅极驱动电路的设计。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为2830pF，结合较低的Qg，使其在需要高频开关的应用中表现出色。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了稳健的驱动安全裕量。其最大功耗为3.1W，宽广的结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各种苛刻环境下的可靠性与耐用性。

在接口与参数方面，AOSP21357的4.5V至10V典型驱动电压范围使其与常见的3.3V和5V逻辑电平控制器兼容性良好。其表面贴装型8-SOIC封装符合现代自动化生产要求，有利于实现高密度的PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及相关设计资源。

基于其参数组合，AOSP21357非常适合应用于需要高效率电源管理和功率开关的场合。典型应用场景包括直流-直流转换器中的负载开关、电池供电设备的反向极性保护、电机驱动控制电路以及各类电源分配系统中的功率路径管理。其优异的导通性能和开关特性使其成为空间受限且对能效有较高要求的消费电子、工业控制和通信设备等领域的理想选择。

• 型号:AOSP21357
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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