AOT280A60L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOT280A60L 是一款采用先进 aMOS5 技术平台开发的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于在高压开关应用中实现高效率与高可靠性，其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在确保高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种设计理念使得器件在给定的芯片尺寸下，能够处理更高的功率密度，为电源系统的紧凑化设计提供了有力支持。

该 MOSFET 具备多项突出的电气特性。其 600V 的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级 AC-DC 转换及电机驱动中的高压应力环境。在导通特性方面，在结温（Tc）25°C 条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为 14A，而关键的导通电阻（Rds(on)）在 10V 栅极驱动电压、7A 漏极电流条件下典型值仅为 280 毫欧。较低的 Rds(on) 直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 23.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，AOT280A60L 采用标准的 TO-220 通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力（Tc）达到 156W。器件的栅源电压（Vgs）耐受范围为 ±20V，提供了充足的驱动设计余量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为 3.6V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力和稳定的关断特性。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合应用于各类离线式开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源的功率因数校正（PFC）和 DC-DC 转换级。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机以及照明镇流器等需要高效功率开关的场合，AOT280A60L 同样是一个理想的选择，能够帮助设计工程师在性能、尺寸和成本之间取得最佳平衡。

• 制造商产品型号：AOT280A60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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