AOT2916L技术参数

AOT2916L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-220通孔封装中，便于安装和散热。该器件基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其核心架构通过精细的沟道和终端设计，确保了在100V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的阻断能力和稳定的电气性能。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能。在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至34毫欧（在10A电流条件下测量），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC @ 10V，结合870pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较小，能够实现快速的开启与关断，有利于在高频开关应用中减少开关损耗。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或驱动IC直接控制。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取详细资料和支持。

在电气参数方面，AOT2916L在25°C环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）为5A，而在借助封装良好散热（壳温Tc）的条件下，该电流可提升至23A，展现了其强大的电流处理潜力。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了安全的驱动电压裕量。器件的功率耗散能力在Tc条件下高达41.5W，结合TO-220封装良好的热传导特性，使其能够应对相对严苛的功率场景。其宽泛的工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在工业级和汽车级环境下的稳定性和耐用性。

凭借100V的耐压、5A以上的电流能力、低导通电阻和快速开关特性，AOT2916L非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、低压大电流的电源管理模块，以及各类需要高频开关的功率开关电路。其TO-220封装形式使其在适配器、工业电源、电动工具和汽车电子等对可靠性和散热有较高要求的场合中成为理想选择。

• 制造商产品型号：AOT2916L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N CH 100V 5A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：870pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），41.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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