AOT502技术参数

AOT502是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中，便于安装和散热。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，为中等功率开关应用提供了一个高效可靠的解决方案。

该器件在10V栅极驱动电压下，能展现出优异的导通性能，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至11.5毫欧（在30A，10V条件下测量）。这种低导通特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为28nC（@10V），结合1450pF的输入电容（Ciss @15V），意味着所需的栅极驱动能量较小，有利于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。

在电气参数方面，AOT502的漏源击穿电压（Vdss）为33V，适用于常见的24V或更低电压的直流总线。电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为9A，而在管壳温度（Tc）下则可高达60A，这突显了其强大的峰值电流能力和对有效散热设计的依赖。其最大功耗在Tc条件下可达79W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取相关技术支持和库存信息。

凭借33V的耐压、低至毫欧级的导通电阻以及TO-220封装带来的便利散热能力，AOT502非常适合于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理应用中的同步整流或负载开关角色。它能够在服务器电源、工业自动化设备、电动工具等场景中，有效管理功率流，提升能效并减少热量产生。

• 制造商产品型号：AOT502
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：33V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），79W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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