AOT502技术参数

AOT502是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中，便于安装和散热。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，为中等功率开关应用提供了一个高效可靠的解决方案。

该器件在10V栅极驱动电压下，能展现出优异的导通性能，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至11.5毫欧（在30A，10V条件下测量）。这种低导通特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为28nC（@10V），结合1450pF的输入电容（Ciss @15V），意味着所需的栅极驱动能量较小，有利于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。

在电气参数方面，AOT502的漏源击穿电压（Vdss）为33V，适用于常见的24V或更低电压的直流总线。电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为9A，而在管壳温度（Tc）下则可高达60A，这突显了其强大的峰值电流能力和对有效散热设计的依赖。其最大功耗在Tc条件下可达79W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取相关技术支持和库存信息。

凭借33V的耐压、低至毫欧级的导通电阻以及TO-220封装带来的便利散热能力，AOT502非常适合于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理应用中的同步整流或负载开关角色。它能够在服务器电源、工业自动化设备、电动工具等场景中，有效管理功率流，提升能效并减少热量产生。

• 型号:AOT502
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT502现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。