AOT66613L技术参数

AOT66613L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直栅极结构，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻与优异的开关特性平衡。其核心设计旨在通过精密的元胞布局和沟槽工艺，有效降低栅极电荷和输出电容，从而在保持高电流处理能力的同时，显著提升开关效率并降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为中等电压应用提供了充足的裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.5毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为110nC，配合5300pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量小，开关速度快，有助于简化驱动设计并提升系统频率。

在封装与可靠性方面，AOT66613L采用工业标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能。其标定的连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达120A，在环境温度（Ta）下为44.5A，展现了强大的电流承载能力。器件的最大功率耗散在壳温条件下高达260W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和全面技术支持的项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是保障产品正宗与供货稳定的重要途径。

凭借其优异的性能组合，AOT66613L非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源模块。其低导通电阻和高开关速度的特性，使其成为提升开关电源效率和功率密度的理想选择，能够有效满足现代电子设备对小型化、高效化的持续需求。

• 型号:AOT66613L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44.5A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），260W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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