AOT8N65技术参数

AOT8N65是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡，内部结构优化了单元密度与沟道设计，确保了在高压应用下的稳定性和可靠性。该器件基于硅基工艺，提供了坚固的体二极管，并针对开关性能进行了优化，使其成为高效功率转换应用中的关键元件。

该器件具备一系列突出的电气特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中的电压应力。在壳温（Tc）25°C条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为8A，结合在10V驱动电压（Vgs）、4A测试电流下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为1.15欧姆，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在28nC（@10V），较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化驱动电路的设计。

在接口与参数方面，AOT8N65的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了良好的抗干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具有典型的增强型MOSFET特性。器件的输入电容（Ciss）为1400pF，与其他参数共同决定了其开关速度。其最大功耗能力高达208W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS一级代理获取正品器件和全面的应用支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，AOT8N65非常适合于离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动、照明镇流器以及工业电源等应用场景。在这些领域中，它常被用作主开关管、PFC开关管或同步整流管（需考虑体二极管特性），是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AOT8N65
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 8A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.15 欧姆 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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