AOTF262L技术参数

AOTF262L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准TO-220-3F通孔封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss），为其在中等电压应用中的稳定运行提供了坚实的保障。

在电气特性方面，AOTF262L展现出优异的导通性能，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下仅为3.6毫欧。这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。器件的栅极电荷（Qg）典型值为135nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现较快的开关速度，同时降低对栅极驱动电路的要求。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极保护裕量。值得注意的是，其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达85A，而在环境温度（Ta）下为17.5A，这突显了有效散热设计对于发挥其最大性能的重要性。

该MOSFET的接口形式为标准三引脚TO-220通孔封装，便于在PCB上进行安装和散热处理。其工作结温范围宽广，为-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。功率耗散能力在壳温条件下最大为50W，这要求在实际应用中必须配合适当的散热器使用。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取相关的技术支持和产品信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍为同类应用提供了有价值的参考。

基于其60V的耐压、高电流能力和低导通电阻的特性，AOTF262L非常适用于需要高效功率开关和控制的场合。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路、DC-DC转换器以及各类工业电源管理系统中的负载开关。在这些应用中，其能够有效管理功率流，减少能量损失，提升系统的功率密度和可靠性。

• 制造商产品型号：AOTF262L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17.5A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：135nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8140pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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