AOTF2916L技术参数

AOTF2916L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于TO-220-3F通孔封装中，为工程师在功率开关和转换应用中提供了一个高效可靠的解决方案。该器件在结构上优化了单元密度和沟道设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其核心架构确保了在宽温度范围内的稳定性能。

该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于多种中压场合。其导通电阻特性尤为突出，在10V驱动电压、10A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为34毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的功率需求并提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，AOTF2916L的连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达17A，在环境温度（Ta）下为5A，展现了强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V @ 250A，并与±20V的最大栅源电压相结合，提供了宽泛且安全的驱动窗口。器件支持-55°C至175°C的结温（TJ）工作范围，最大功率耗散在壳温条件下为23.5W，确保了在苛刻环境下的鲁棒性。对于需要本地技术支持和供货保障的用户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料和采购信息。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块以及各类需要高效功率开关的场合，例如工业控制、消费电子和通信设备的电源部分。其TO-220-3F封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于在标准通孔PCB工艺中进行安装和热管理，是设计高可靠性、高效率功率系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AOTF2916L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 5A/17A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta），17A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：870pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），23.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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