AOTF3N100技术参数

AOTF3N100是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的高压N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，并封装于经典的TO-220-3F通孔封装中。该器件专为需要承受极高电压应力的应用而优化，其核心架构基于稳健的单元设计，确保了在1000V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的阻断能力，同时通过优化的工艺控制，在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间取得了良好的平衡，这对于提升开关效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其高达1000V的击穿电压，这使其能够从容应对工业电源、离线式开关电源（SMPS）中常见的电压尖峰和浪涌。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流额定值为2.8A，最大功率耗散为38W，展现了良好的功率处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、1.5A电流条件下最大值为6欧姆，配合最大仅20nC的栅极总电荷（Qg @ 10V），意味着器件在导通和关断过程中的开关损耗较低，有助于提升系统整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V，而栅源电压可承受±30V，提供了宽裕且安全的驱动设计窗口。

在接口与参数方面，AOTF3N100采用标准的三引脚TO-220-3F封装，便于安装散热器以实现更佳的热管理。其输入电容（Ciss）在25V偏压下最大为830pF，是评估驱动电路需求的重要参数。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低栅极电荷和稳健的封装特性，此器件非常适用于各类离线式电源转换场景。典型应用包括功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式开关电源的初级侧开关、电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。在这些应用中，它能够有效承担主功率开关或钳位开关的角色，为系统提供高效、可靠的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOTF3N100
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1000V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：830pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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