AOTF3N50技术参数

AOTF3N50是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率半导体器件，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计。该器件采用TO-220-3F封装，这是一种经典的、高可靠性的通孔安装封装形式，具有良好的机械强度和散热性能，便于在各类电源和电机驱动板上进行安装与热管理。

该器件具备500V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对离线式开关电源、功率因数校正(PFC)电路等高压应用环境中的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值为3A，结合31W的最大功率耗散能力，表明其能够处理可观的功率等级。其导通特性由栅源驱动电压控制，在10V Vgs驱动下，当漏极电流为1.5A时，其导通电阻(Rds(on))最大值为3欧姆，较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在动态特性方面，AOTF3N50的栅极电荷(Qg)在10V Vgs条件下最大值为8nC，输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为331pF，这些参数共同决定了器件的开关速度与驱动电路的设计需求。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V (在250A漏极电流下)，而栅源电压最大可承受±30V，这为驱动电路的设计提供了明确的电压窗口和足够的保护裕量。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了器件在苛刻环境下的稳定运行能力。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以联系AOS总代理获取进一步的商务与技术支持服务。

基于其高压、中电流的电气特性与TO-220封装的便利性，AOTF3N50非常适用于需要高效功率转换与控制的场合。典型应用包括离线式AC-DC开关电源的初级侧开关、电子镇流器、小功率电机驱动（如风扇、泵类）、以及不间断电源(UPS)和逆变器的功率开关部分。在这些应用中，其高耐压和适中的电流处理能力是实现系统可靠性与能效目标的关键因素。

• 制造商产品型号：AOTF3N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 3A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：31W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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